0
+86-755-82529637 ext. 811
TOP
联系我们
SalesDept@heisener.com +86-755-82529637 ext. 811
Language Translation
  • • English
  • • Español
  • • Deutsch
  • • Français
  • • Italiano
  • • Nederlands
  • • Português
  • • русский язык
  • • 日本語
  • • 한국어
  • • 简体中文
  • • 繁體中文

* Please refer to the English Version as our Official Version.

更改地区

如果您所在的国家没有列出,请选择国际作为您的区域。

  • 国际
美洲
  • 阿根廷
  • 巴西
  • 加拿大
  • 智利
  • 哥伦比亚
  • 哥斯达黎加
  • 多米尼加共和国
  • 厄瓜多尔
  • 瓜地马拉
  • 洪都拉斯
  • 墨西哥
  • 秘鲁
  • 波多黎各
  • 美国
  • 乌拉圭
  • 委内瑞拉
亚太
  • 澳大利亚
  • 中国
  • 香港
  • 印度尼西亚
  • 以色列
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 马来西亚
  • 新西兰
  • 菲律宾
  • 新加坡
  • 泰国
  • 台湾
  • 越南
欧洲
  • 奥地利
  • 比利时
  • 保加利亚
  • 瑞士
  • 捷克共和国
  • 德国
  • 丹麦
  • 爱沙尼亚
  • 西班牙
  • 芬兰
  • 法国
  • 英国
  • 希腊
  • 克罗地亚
  • 匈牙利
  • 爱尔兰
  • 意大利
  • 荷兰
  • 挪威
  • 波兰
  • 葡萄牙
  • 罗马尼亚
  • 俄罗斯联邦
  • 瑞典
  • 斯洛伐克
  • 土耳其

APT28M120B2

hot APT28M120B2

APT28M120B2

仅供参考

零件编号 APT28M120B2
制造商 Microsemi Corporation
描述 MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
数据表 APT28M120B2 数据表
封装 TO-247-3 Variant
库存 230
单价 $ 24.05 *
请向我们的销售团队索取实时报价。单价将受所需数量和供应来源的影响。谢谢!
交货时间 可立即发货
预计送达时间 九月 19 - 九月 24 (选择速递服务)

请求报价

APT28M120B2

数量
支付方式
送货服务

您有关于 APT28M120B2 的问题吗?

+86-755-82529637 ext. 811 SalesDept@heisener.com heisener007 2354944915 发送信息

质量认证

黑森尔对质量的承诺,塑造了我们的采购、测试、运输流程以及它们之间的每一步。这个基准是我们所销售的每一个元器件的基础。

广东省“守合同重信用”企业ISO9001:2015, ICAS, IAF, UKAS

查看证书

APT28M120B2 参数

制造商Microsemi Corporation
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 APT28M120B2 数据表
封装TO-247-3 Variant
系列POWER MOS 8?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C29A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)10V
Vgs(th)(Max)@Id5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds9670pF @ 25V
功耗(最大值)1135W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs560 mOhm @ 14A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包T-MAX™ [B2]
包/箱TO-247-3 Variant

APT28M120B2 保证

Service Guarantee

服务保证

我们保证100%的客户满意度。

我们经验丰富的销售团队和技术支持团队支持我们的服务以满足所有客户。

Quality Guarantee

质量保证

我们提供30天保修。

如果您收到的物品质量不合格,我们将负责您的退款或更换,但物品必须以原始状态退回。

APT28M120B2 相关产品

hotAPT28M120B2 APTGF330A60D3G Microsemi Corporation, IGBT NPT PHASE 600V 520A D3, D-3 Module, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APTGT100TL170G Microsemi Corporation, PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6, Module, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APTGT35A120T1G Microsemi Corporation, IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1, SP1, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APT4016BVRG Microsemi Corporation, MOSFET N-CH 400V TO-247, -, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APT56M60L Microsemi Corporation, MOSFET N-CH 600V 56A TO-264, TO-264-3, TO-264AA, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APT40SM120B Microsemi Corporation, MOSFET N-CH 1200V 41A TO247, TO-247-3, POWER MOS 8?
hotAPT28M120B2 APTC60HM35T3G Microsemi Corporation, MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3, 封装:SP3, 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant
hotAPT28M120B2 APT13003DZTR-G1 Diodes Incorporated, TRANS NPN 450V 1.5A TO92, 封装:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads), 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant
hotAPT28M120B2 3EZ43D10/TR12 Microsemi Corporation, DIODE ZENER 43V 3W DO204AL, 封装:DO-204AL, DO-41, Axial, 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant
hotAPT28M120B2 APT30SCD120S Microsemi Corporation, DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK, 封装:TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant
hotAPT28M120B2 APT30S20BG Microsemi Corporation, DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247, 封装:TO-247-2, 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant
hotAPT28M120B2 APT2X101DQ120J Microsemi Corporation, DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP, 封装:SOT-227-4, miniBLOC, 系列:POWER MOS 8? , FET类型:N-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):1200V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:29A (Tc), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):10V, Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 2.5mA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:300nC @ 10V, Vgs(最大):±30V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:9670pF @ 25V, 功耗(最大值):1135W (Tc), Rds On(Max)@ Id,Vgs:560 mOhm @ 14A, 10V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Through Hole, 供应商设备包:T-MAX™ [B2], 包/箱:TO-247-3 Variant

APT28M120B2 Tags

  • APT28M120B2
  • APT28M120B2 PDF
  • APT28M120B2 数据表
  • APT28M120B2 规格
  • APT28M120B2 图片
  • Microsemi Corporation
  • Microsemi Corporation APT28M120B2
  • 买 APT28M120B2
  • APT28M120B2 价格
  • APT28M120B2 经销商
  • APT28M120B2 供应商
  • APT28M120B2 批发

APT28M120B2 可用于