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GP2M008A060PGH

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零件编号 GP2M008A060PGH
制造商 Global Power Technologies Group
描述 MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
数据表 GP2M008A060PGH 数据表
封装 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
库存 418 piece(s)
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GP2M008A060PGH参数

制造商Global Power Technologies Group
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 GP2M008A060PGH数据表
封装TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
系列-
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C7.5A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)10V
Vgs(th)(Max)@Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs23nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds1063pF @ 25V
Vgs(最大)��30V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包I-Pak
包/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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