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HGTG5N120BND

hot HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

仅供参考

零件编号 HGTG5N120BND
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
描述 IGBT 1200V 21A 167W TO247
数据表 HGTG5N120BND 数据表
封装 TO-247-3
库存 72780
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 八月 27 - 九月 1 (选择速递服务)

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HGTG5N120BND 参数

制造商Fairchild/ON Semiconductor
类别分立半导体产品 - 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
数据表 HGTG5N120BND 数据表
封装TO-247-3
系列-
IGBT类型NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)21A
电流 - 集电极脉冲(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 5A
力量 - 最大167W
开关能量450��J (on), 390��J (off)
输入类型Standard
门电荷53nC
Td (on/off) @ 25��C22ns/160ns
测试条件960V, 5A, 25 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)65ns
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
包/箱TO-247-3
供应商设备包TO-247

HGTG5N120BND Datasheet

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HGTG5N120BND 可用于