| 零件编号 | IPB80N06S3-05 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 库存 | 2,000 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 六月 25 - 六月 30 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 系列 | OptiMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4V @ 110µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 240nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 10760pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 165W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 5.1 mOhm @ 63A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PG-TO263-3-2 |
| 包/箱 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB80N06S3-05 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB80N06S3-05 D# IPB80N06S3-05-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB80N06S3-05 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
63259 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB80N06S3-05 D# NS-IPB80N06S3-05 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
4597 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB80N06S3-05 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
63244 |
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86-755-83210559-841
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