0
+86-755-82529637 ext. 811
TOP
联系我们
SalesDept@heisener.com +86-755-82529637 ext. 811
Language Translation
  • • English
  • • Español
  • • Deutsch
  • • Français
  • • Italiano
  • • Nederlands
  • • Português
  • • русский язык
  • • 日本語
  • • 한국어
  • • 简体中文
  • • 繁體中文

* Please refer to the English Version as our Official Version.

更改地区

如果您所在的国家没有列出,请选择国际作为您的区域。

  • 国际
美洲
  • 阿根廷
  • 巴西
  • 加拿大
  • 智利
  • 哥伦比亚
  • 哥斯达黎加
  • 多米尼加共和国
  • 厄瓜多尔
  • 瓜地马拉
  • 洪都拉斯
  • 墨西哥
  • 秘鲁
  • 波多黎各
  • 美国
  • 乌拉圭
  • 委内瑞拉
亚太
  • 澳大利亚
  • 中国
  • 香港
  • 印度尼西亚
  • 以色列
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 马来西亚
  • 新西兰
  • 菲律宾
  • 新加坡
  • 泰国
  • 台湾
  • 越南
欧洲
  • 奥地利
  • 比利时
  • 保加利亚
  • 瑞士
  • 捷克共和国
  • 德国
  • 丹麦
  • 爱沙尼亚
  • 西班牙
  • 芬兰
  • 法国
  • 英国
  • 希腊
  • 克罗地亚
  • 匈牙利
  • 爱尔兰
  • 意大利
  • 荷兰
  • 挪威
  • 波兰
  • 葡萄牙
  • 罗马尼亚
  • 俄罗斯联邦
  • 瑞典
  • 斯洛伐克
  • 土耳其

SI1563EDH-T1-GE3

hot SI1563EDH-T1-GE3

SI1563EDH-T1-GE3

仅供参考

零件编号 SI1563EDH-T1-GE3
Heisener # H297-SI1563EDH-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
数据表 SI1563EDH-T1-GE3 数据表
封装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
库存 108862
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 四月 24 - 四月 29 (选择速递服务)

请求报价

SI1563EDH-T1-GE3

数量
支付方式
送货服务

您有关于 SI1563EDH-T1-GE3 的问题吗?

+86-755-82529637 ext. 811 SalesDept@heisener.com heisener007 2354944915 发送信息

SI1563EDH-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
数据表 SI1563EDH-T1-GE3 数据表
封装6-TSSOP, SC-88, SOT-363
系列TrenchFET?
FET类型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C1.13A, 880mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id1V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs1nC @ 4.5V
力量 - 最大570mW
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包SC-70-6 (SOT-363)

SI1563EDH-T1-GE3 Datasheet

SI1563EDH-T1-GE3 相关产品

hotSI1563EDH-T1-GE3 SIE816DF-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK, 10-PolarPAK? (L), TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI2309DS-T1-E3 Vishay Siliconix, MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 IRFR9020TR Vishay Siliconix, MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK, TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 SIHF12N60E-E3 Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP, TO-220-3 Full Pack, TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, PowerPAK? SO-8, TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET, PowerPAK? ChipFET? Single, TrenchFET?
hotSI1563EDH-T1-GE3 IRLL014TRPBF Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223, 封装:TO-261-4, TO-261AA, 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8, 封装:8-SMD, Flat Lead, 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI4940DY-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC, 封装:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI4330DY-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC, 封装:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 Vishay Siliconix, MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6, 封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)
hotSI1563EDH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-E3 Vishay Siliconix, MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6, 封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 系列:TrenchFET? , FET类型:N and P-Channel, FET功能:Logic Level Gate, 漏极到源极电压(Vdss):20V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:1.13A, 880mA, Rds On(Max)@ Id,Vgs:280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 100µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:1nC @ 4.5V, 力量 - 最大:570mW, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363, 供应商设备包:SC-70-6 (SOT-363)

SI1563EDH-T1-GE3 可用于