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SI5857DU-T1-GE3

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零件编号 SI5857DU-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
数据表 SI5857DU-T1-GE3 数据表
封装 PowerPAK? ChipFET? Dual
库存 323 piece(s)
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SI5857DU-T1-GE3参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SI5857DU-T1-GE3数据表
封装PowerPAK? ChipFET? Dual
系列LITTLE FOOT?
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C6A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs17nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 10V
Vgs(最大)��12V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PowerPAK? ChipFet Dual
包/箱PowerPAK? ChipFET? Dual

SI5857DU-T1-GE3数据表

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