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SUB75P03-07-E3

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零件编号 SUB75P03-07-E3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
数据表 SUB75P03-07-E3 数据表
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 1,007 piece(s)
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SUB75P03-07-E3参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SUB75P03-07-E3数据表
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列-
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C75A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs240nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds9000pF @ 25V
Vgs(最大)��20V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 187W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7 mOhm @ 30A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包TO-263 (D2Pak)
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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