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BSM50GD120DN2G

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零件编号 BSM50GD120DN2G
制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
描述 IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
数据表 BSM50GD120DN2G 数据表
封装 Module
库存 403 piece(s)
单价 Request a Quote
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BSM50GD120DN2G参数

制造商Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
类别分立半导体产品 - 晶体管 - IGBT - 模块
数据表 BSM50GD120DN2G数据表
封装Module
系列-
IGBT类型-
组态Full Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)78A
力量 - 最大400W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 50A
电流 - 收集器截止(最大)-
输入电容(Cies)@ Vce33nF @ 25V
输入Standard
NTC热敏电阻No
工作温度150°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱Module
供应商设备包Module

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