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DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

仅供参考

零件编号 DMP1081UCB4-7
制造商 Diodes Incorporated
描述 MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
数据表 DMP1081UCB4-7 数据表
封装 4-UFBGA, WLBGA
库存 4911
配额限制 无限制
交货时间 待确认
预计送达时间 八月 22 - 八月 27 (选择速递服务)

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DMP1081UCB4-7 参数

制造商Diodes Incorporated
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 DMP1081UCB4-7 数据表
封装4-UFBGA, WLBGA
系列-
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C3A (Ta), 3.3A (Ta)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)0.9V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id650mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs5nC @ 4.5V
Vgs(最大)-6V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 6V
功耗(最大值)820mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs80 mOhm @ 500mA, 4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包U-WLB1010-4
包/箱4-UFBGA, WLBGA

DMP1081UCB4-7 Datasheet

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DMP1081UCB4-7 DMP1080UCB4-7 Diodes Incorporated, MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4, 封装:4-UFBGA, WLBGA, 系列:- , FET类型:P-Channel, 技术:MOSFET (Metal Oxide), 漏极到源极电压(Vdss):12V, 电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:3A (Ta), 3.3A (Ta), 驱动电压(Max Rds On,Min Rds On):0.9V, 4.5V, Vgs(th)(Max)@Id:650mV @ 250µA, 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:5nC @ 4.5V, Vgs(最大):-6V, 输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:350pF @ 6V, 功耗(最大值):820mW (Ta), Rds On(Max)@ Id,Vgs:80 mOhm @ 500mA, 4.5V, 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ), 安装类型:Surface Mount, 供应商设备包:U-WLB1010-4, 包/箱:4-UFBGA, WLBGA
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DMP1081UCB4-7 可用于