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FQI12N60TU

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零件编号 FQI12N60TU
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
数据表 FQI12N60TU 数据表
封装 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
库存 439 piece(s)
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FQI12N60TU参数

制造商Fairchild/ON Semiconductor
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 FQI12N60TU数据表
封装TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
系列QFET?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C10.5A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)10V
Vgs(th)(Max)@Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs54nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 25V
Vgs(最大)��30V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs700 mOhm @ 5.3A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包I2PAK
包/箱TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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