| 零件编号 | GA50JT06-258 |
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| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 | TRANS SJT 600V 100A |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-258-3, TO-258AA |
| ECAD |
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| 库存 | 4,272 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 六月 30 - 七月 5 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-258-3, TO-258AA |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | - |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 100A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | - |
| Vgs（th）（Max）@Id | - |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | - |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 769W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| 工作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-258 |
| 包/箱 | TO-258-3, TO-258AA |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
GA50JT06-258 D# 1242-1253-ND |
GeneSic Semiconductor Inc |
TRANS SJT 600V 100A TO258 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
GA50JT06-258 D# 85X0911 |
GeneSic Semiconductor Inc |
JUNCTION TRANSISTOR, SIC, TO-258-3, Breakdown Voltage Vbr:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-, Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-, Transistor Type:JFET, No. of Pins:3 Pin RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Bulk
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86-755-83210559-843
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