| 零件编号 | IPB080N03L G |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 库存 | 336,072 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 一月 17 - 一月 22 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 系列 | OptiMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 50A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 18nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1900pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 47W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PG-TO263-2 |
| 包/箱 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB080N03LGATMA1 D# IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB080N03LGATMA1) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB080N03LGATMA1 D# 2156-IPB080N03LGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM, |
16323 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB080N03LGATMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2695 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB080N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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16323 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
579 |
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