| 零件编号 | IXTH1N100 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-247-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 7,504 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十二月 30 - 一月 4 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | IXYS |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-247-3 |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 1000V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 1.5A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4.5V @ 25µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 480pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 60W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 11 Ohm @ 1A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-247 (IXTH) |
| 包/箱 | TO-247-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IXTH1N100 |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IXTH1N100 D# IXTH1N100-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IXTH1N100 |
IXYS Corporation |
In stock shipping within 2days |
168 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IXTH1N100 D# NS-IXTH1N100 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
3361 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IXTH1N100 |
IXYS Corporation |
RFQ |
8618 |
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86-755-83210559-827
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