| 零件编号 | NTD4856N-35G |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| ECAD |
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| 库存 | 4,240 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 26 - 十二月 1 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 13.3A (Ta), 89A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2241pF @ 12V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.33W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 4.7 mOhm @ 30A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | I-Pak |
| 包/箱 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N-35G D# NTD4856N-35G |
ON Semiconductor |
- Bulk (Alt: NTD4856N-35G) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N-35G |
ON Semiconductor |
N/A 13.3 A, 25 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3 |
2550 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N-35G D# 2156-NTD4856N-35G-ON-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK |
2550 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N35G |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3060 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N-35G D# NS-NTD4856N-35G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
2381 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTD4856N-35G |
ON Semiconductor |
13.3A, 25V, 0.0068ohm, N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
2550 |
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86-755-83210559-827
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