| 零件编号 | NTLJS4159NT1G |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| 数据表 | |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| 库存 | 5,120 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 二月 5 - 二月 10 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
|
| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 3.6A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1045pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 700mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 35 mOhm @ 2A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 6-WDFN (2x2) |
| 包/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
 
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G D# NTLJS4159NT1G |
ON Semiconductor |
- Bulk (Alt: NTLJS4159NT1G) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G |
ON Semiconductor |
N/A 3.6 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AP-01, WDFN6, 6 PIN |
3000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G D# 2156-NTLJS4159NT1G-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN |
3000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3600 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G D# NS-NTLJS4159NT1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
4926 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTLJS4159NT1G |
ON Semiconductor |
3.6A, 30V, 0.045ohm, N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
3000 |
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