| 零件编号 | PSMN7R6-60XSQ |
|---|---|
| 制造商 | NXP |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V TO220AB |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ECAD |
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| 库存 | 2,000 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 26 - 十二月 1 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | NXP |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 51.5A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4.6V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 38.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2651pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 46W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 7.8 mOhm @ 25A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-220F-3 |
| 包/箱 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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4814P-2-101 | Bourns Inc., RES ARRAY 13 RES 100 OHM 14SOIC, 14-SOIC (0.220", 5.59mm Width), - | 查看 |
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ESQT-115-03-S-D-310 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | 查看 |
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98401-401-14 | Amphenol FCI, BERGSTIK HDR DR.100 SMT, -, - | 查看 |
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FTSH-129-01-G-MT | Samtec Inc., .050'' X .050 TERMINAL STRIP, -, - | 查看 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PSMN7R6-60XSQ D# PSMN7R6-60XSQ |
NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 51.5A 3-Pin TO-220F - Bulk (Alt: PSMN7R6-60XSQ) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PSMN7R6-60XSQ D# 2156-PSMN7R6-60XSQ-NX-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F |
685 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PSMN7R660XSQ |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
822 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PSMN7R660XSQ |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
517 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PSMN7R6-60XSQ |
NXP Semiconductors |
Now Nexperia PSMN7R6-60XS - Power Field-Effect Transistor, N-Channel, MOSFET, TO-220F RoHS: Compliant
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685 |
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