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RN1968FE(TE85L,F)

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零件编号 RN1968FE(TE85L,F)
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
数据表 RN1968FE(TE85L,F) 数据表
封装 SOT-563, SOT-666
库存 232 piece(s)
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RN1968FE(TE85L,F)参数

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
类别分立半导体产品 - 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
数据表 RN1968FE(TE85L,F)数据表
封装SOT-563, SOT-666
系列-
晶体管类型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 收集器(Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce饱和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 收集器截止(最大)100nA (ICBO)
频率 - 过渡250MHz
力量 - 最大100mW
安装类型Surface Mount
包/箱SOT-563, SOT-666
供应商设备包ES6

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