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| 零件编号 | SI2335DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 108,000 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 二月 3 - 二月 8 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 3.2A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1225pF @ 6V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 750mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 51 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 D# SI2335DS-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 D# NS-SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6676 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
60003 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2335DS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
3000 |
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