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SI3410DV-T1-GE3

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SI3410DV-T1-GE3

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零件编号 SI3410DV-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
数据表 SI3410DV-T1-GE3 数据表
封装 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存 100200 piece(s)
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SI3410DV-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SI3410DV-T1-GE3 数据表
封装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
系列TrenchFET?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C8A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs33nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds1295pF @ 15V
Vgs(最大)��20V
功耗(最大值)2W (Ta), 4.1W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.5 mOhm @ 5A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包6-TSOP
包/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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