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SI4324DY-T1-GE3

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零件编号 SI4324DY-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
数据表 SI4324DY-T1-GE3 数据表
封装 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存 215 piece(s)
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SI4324DY-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SI4324DY-T1-GE3 数据表
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
系列TrenchFET?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C36A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs85nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds3510pF @ 15V
Vgs(最大)��20V
功耗(最大值)3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2 mOhm @ 20A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包8-SO
包/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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