| 零件编号 | SI8467DB-T2-E1 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
| 数据表 | |
| 封装 | 4-XFBGA, CSPBGA |
| ECAD |
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| 库存 | 2,272 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 五月 15 - 五月 20 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 4-XFBGA, CSPBGA |
| ECAD |
|
| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | - |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 21nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 475pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 73 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 4-Microfoot |
| 包/箱 | 4-XFBGA, CSPBGA |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies | 5725 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V |
8945 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 D# SI8467DB-T2-E1TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DBT2E1 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
48000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 D# NS-SI8467DB-T2-E1 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
21043 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DBT2E1 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
48016 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI8467DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
47985 |
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86-755-83210559-841
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