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SIB437EDKT-T1-GE3

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零件编号 SIB437EDKT-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
数据表 SIB437EDKT-T1-GE3 数据表
封装 PowerPAK? TSC-75-6
库存 798 piece(s)
单价 $ 0.2080 *
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SIB437EDKT-T1-GE3参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SIB437EDKT-T1-GE3数据表
封装PowerPAK? TSC-75-6
系列TrenchFET?
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C9A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id700mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs16nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds-
Vgs(最大)��5V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs34 mOhm @ 3A, 4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PowerPAK? TSC75-6
包/箱PowerPAK? TSC-75-6

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