| 零件编号 | SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-247-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 17,748 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 五月 18 - 五月 23 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-247-3 |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 32.4A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 173nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4040pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 313W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-247AC |
| 包/箱 | TO-247-3 |
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SIT1602BC-32-30N-66.600000T | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 25PPM, 3.0V, 6, -, - | 查看 |
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MR041A182KAATR1 | AVX Corporation, CAP CER 1800PF 100V C0G/NP0 RAD, Radial, - | 查看 |
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2220Y6300102KCR | Knowles Syfer, CAP CER 2220, -, - | 查看 |
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TSM10NC65CF C0G | TSC America Inc., MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA, TO-220-3 Full Pack, - | 查看 |
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CXA1304-0000-000N00A427F | Cree Inc., LED COB CXA1304 WARM WHT SQUARE, -, - | 查看 |
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IEG2-34064-1-V | Sensata Technologies/Airpax, CIR BRKR MAG-HYDR LEVER, -, - | 查看 |
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W68-X2Q110-25V | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays, CIR BRKR MAG-HYDR 25A 415VAC, -, - | 查看 |
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ZX-LDA11-N 2M | Omron Automation and Safety, AMP UNIT 12-24VDC PWR SPLY NPN, -, - | 查看 |
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AC2010FK-076R2L | Yageo, RES SMD 6.2 OHM 1% 3/4W 2010, 2010 (5025 Metric), - | 查看 |
 
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4002 | Keystone Electronics, CONN TERM LUG RING TH, -, - | 查看 |
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FW-43-01-G-D-250-065 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, - | 查看 |
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EMM31DTBS-S189 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 62POS 0.156, -, - | 查看 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# V36:1790_14664699 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# SIHG33N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG33N65E-GE3) RoHS: Not Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# SIHG33N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG33N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 32.4A I(D), 650V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# SIHG33N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
843 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# 2576519 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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4 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65EGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1003 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# 01AC4958 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:32.4A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.09ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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4 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
516 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIHG33N65E-GE3 D# 2576519 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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4 |
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