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| 零件编号 | SIR412DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
| 数据表 | |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| 库存 | 59,760 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 五月 1 - 五月 6 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 20A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 600pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PowerPAK? SO-8 |
| 包/箱 | PowerPAK? SO-8 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 D# SIR412DP-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
3260 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2455 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
2960 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 D# NS-SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6147 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2079 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
2975 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
2965 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
1980 |
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