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| 零件编号 | SIR892DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
| 数据表 | |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| 库存 | 5,376 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 一月 28 - 二月 2 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 50A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.6V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 60nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2645pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PowerPAK? SO-8 |
| 包/箱 | PowerPAK? SO-8 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N CH, 25V, 50A, POWERPAK SO |
2846 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DP-T1-GE3 D# SIR892DP-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DP-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
3000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DP-T1-GE3 D# 16P3665 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:50A, On Resistance Rds(on):0.0025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:2.6VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DP-T1-GE3 D# NS-SIR892DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7484 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR892DPT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3016 |
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