| 零件编号 | STB12NM60N-1 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| 库存 | 3,216 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 一月 18 - 一月 23 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| 系列 | MDmesh? II |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 10A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 30.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 960pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 90W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 410 mOhm @ 5A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | I2PAK |
| 包/箱 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
STB12NM60N-1 D# STB12NM60N-1-ND |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
STB12NM60N1 |
STMICROELECTRONICS |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1190 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
STB12NM60N-1 D# NS-STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
OEM/CM ONLY |
9575 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
RFQ |
3892 |
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