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STP10NK80Z

hot STP10NK80Z

STP10NK80Z

仅供参考

零件编号 STP10NK80Z
Heisener # H299-STP10NK80Z
制造商 STMicroelectronics
描述 MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
数据表 STP10NK80Z 数据表
封装 TO-220-3
库存 21044
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 四月 21 - 四月 26 (选择速递服务)

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STP10NK80Z 参数

制造商STMicroelectronics
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 STP10NK80Z 数据表
封装TO-220-3
系列SuperMESH?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C9A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)10V
Vgs(th)(Max)@Id4.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds2180pF @ 25V
功耗(最大值)190W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs900 mOhm @ 4.5A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包TO-220AB
包/箱TO-220-3

STP10NK80Z Datasheet

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零件编号 制造商 描述 封装
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STP10NK80Z 可用于