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零件编号 ZXMP3F35N8TA
制造商 Diodes Incorporated
描述 MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
数据表 ZXMP3F35N8TA 数据表
封装 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存 65,688 piece(s)
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ZXMP3F35N8TA参数

制造商Diodes Incorporated
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 ZXMP3F35N8TA数据表
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
系列-
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C9.3A (Ta)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2.6V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs77.1nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds4600pF @ 15V
Vgs(最大)��20V
FET功能-
功耗(最大值)1.56W (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12 mOhm @ 12A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包8-SO
包/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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