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APTM10HM09FT3G

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零件编号 APTM10HM09FT3G
制造商 Microsemi Corporation
描述 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
数据表 APTM10HM09FT3G 数据表
封装 SP3
库存 252 piece(s)
单价 $ 81.6423 *
交货时间 待确认
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APTM10HM09FT3G参数

制造商Microsemi Corporation
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
数据表 APTM10HM09FT3G数据表
封装SP3
系列-
FET类型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏极到源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C139A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id4V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs350nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds9875pF @ 25V
力量 - 最大390W
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱SP3
供应商设备包SP3

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