零件编号 | APTM10HM09FT3G |
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制造商 | Microsemi Corporation |
描述 | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 |
数据表 | APTM10HM09FT3G 数据表 |
封装 | SP3 |
库存 | 252 piece(s) |
单价 | $ 81.6423 * |
交货时间 | 待确认 |
预计送达时间 | 一月 21 - 一月 26 (选择速递服务) |
请求报价 |
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制造商 | Microsemi Corporation |
类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
数据表 | APTM10HM09FT3G数据表 |
封装 | SP3 |
系列 | - |
FET类型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET功能 | Standard |
漏极到源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C | 139A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 2.5mA |
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs | 350nC @ 10V |
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds | 9875pF @ 25V |
力量 - 最大 | 390W |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Chassis Mount |
包/箱 | SP3 |
供应商设备包 | SP3 |
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