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HGT1S10N120BNS

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零件编号 HGT1S10N120BNS
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
描述 IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
数据表 HGT1S10N120BNS 数据表
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 1,719 piece(s)
单价 $ 3.2774 *
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HGT1S10N120BNS参数

制造商Fairchild/ON Semiconductor
类别分立半导体产品 - 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
数据表 HGT1S10N120BNS数据表
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列-
IGBT类型NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)35A
电流 - 集电极脉冲(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 10A
力量 - 最大298W
开关能量320��J (on), 800��J (off)
输入类型Standard
门电荷100nC
Td(开/关)@ 25°C23ns/165ns
测试条件960V, 10A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)-
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包TO-263AB

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