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SI4936BDY-T1-E3

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零件编号 SI4936BDY-T1-E3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
数据表 SI4936BDY-T1-E3 数据表
封装 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存 139012 piece(s)
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制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
数据表 SI4936BDY-T1-E3 数据表
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
系列TrenchFET?
FET类型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压(Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C6.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs15nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds530pF @ 15V
力量 - 最大2.8W
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包8-SO

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