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SI5906DU-T1-GE3

hot SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

仅供参考

零件编号 SI5906DU-T1-GE3
Heisener # H297-SI5906DU-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
数据表 SI5906DU-T1-GE3 数据表
封装 PowerPAK? ChipFET? Dual
库存 12000
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 四月 21 - 四月 26 (选择速递服务)

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SI5906DU-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
数据表 SI5906DU-T1-GE3 数据表
封装PowerPAK? ChipFET? Dual
系列TrenchFET?
FET类型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs31 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs8.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 15V
力量 - 最大10.4W
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱PowerPAK® ChipFET™ Dual
供应商设备包PowerPAK® ChipFet Dual

SI5906DU-T1-GE3 Datasheet

SI5906DU-T1-GE3 相关产品

零件编号 制造商 描述 封装
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hotSI5906DU-T1-GE3 IRFL31N20D Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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hotSI5906DU-T1-GE3 SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
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hotSI5906DU-T1-GE3 SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
hotSI5906DU-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
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SI5906DU-T1-GE3 可用于